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  • IGBT失效模式詳細(xì)解析
    • 發(fā)布時間:2023-05-23 16:49:23
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    IGBT失效模式詳細(xì)解析
    IGBT失效詳解
    失效模式
    根據(jù)失效的部位不同,可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多,如電源或負(fù)載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障、線路短路等,但最終的失效都可歸結(jié)為電擊穿和熱擊穿兩種,其中電擊穿失效的本質(zhì)也是溫度過高的熱擊穿失效。
    目前對IGBT芯片失效的研究主要集中在對引起失效的各種外部因素,如過電壓、過電流、過溫等進(jìn)行分析上,而對失效的內(nèi)部機(jī)理及過程仍缺乏深入的研究。
    (1)過壓失效
    母線電壓、變壓器反射電壓以及漏極尖峰電壓等疊加,當(dāng)漏源極承受最大單次脈沖能量超過其單脈沖雪崩能量 EAS 或多次脈沖能量超過其重復(fù)雪崩能量 EAR 時發(fā)生漏源雪蹦;
    或者柵極產(chǎn)生尖峰電壓,柵極是模塊最薄弱的地方,在任何條件下,其接入的電壓必須在小于柵極電壓 VGS,否則引起擊穿,導(dǎo)致 IGBT 失效 。整車上會觸發(fā)電機(jī)控制器電壓故障,嚴(yán)重者會反沖擊電池包,引起電池管理系統(tǒng)報故障。
    (2)過流失效
    異常大的電流和電壓同時疊加,造成瞬態(tài)發(fā)熱,導(dǎo)致 IGBT 失效。漏源標(biāo)稱電流如果偏小,在設(shè)計降額不充裕的系統(tǒng)中可能會引起電流擊穿的風(fēng)險;
    如果漏源最大脈沖電流 IDM、最大連續(xù)續(xù)流電流 IS、最大脈沖續(xù)流電流 ISM 偏小,系統(tǒng)發(fā)生過流或過載情況,同樣會發(fā)生電流擊穿風(fēng)險 。整車上可能會觸發(fā)電機(jī)控制器報電流故障,嚴(yán)重者會引起電池包內(nèi)部熔斷器熔斷或繼電器粘連。
    (3)過溫失效
    三相橋臂門極開關(guān)瞬態(tài)開通不一致,極限情況下引起單管承受所有相電流;或者M(jìn)OS 管內(nèi)阻及功率回路抗擾差異,導(dǎo)致穩(wěn)態(tài)不均流;以及晶元與 leadframe、leadframe與 PCB 銅箔之間存在空洞,局部溫升高,引起 IGBT 模塊溫度過高,發(fā)生過溫失效。
    發(fā)生過溫失效的直接原因是溫升超過結(jié)溫 TSTG 及貯存溫度 TJ,如果系統(tǒng)設(shè)計時把模塊的結(jié)到封裝的熱阻 Rthjc、封裝到散熱片的熱阻 Rthcs以及結(jié)到空氣的熱阻 Rthja 設(shè)計越小,系統(tǒng)散熱越快;
    或者導(dǎo)通電阻 RDS(ON)值越小,工作時損耗越小,溫升越慢,發(fā)生過溫失效的幾率就會越小。整車上可能會觸發(fā)電機(jī)控制器過溫保護(hù),嚴(yán)重者會引起溫度傳感器燒毀。
    1.熱失效
    IGBT熱失效的原因有多種,比如散熱裝置不良、電流過大、浪涌電流沖擊、短路電流沖擊等,各種原因造成的IGBT熱失效機(jī)理和失效模式并不相同。
    浪涌電流沖擊和短路電流沖擊是由于電流沖擊產(chǎn)生的熱量使芯片發(fā)生瞬時熱過載,局部結(jié)溫快速上升并達(dá)到絲化溫度Tf而發(fā)生失效,通常由一個或若干個沖擊周期內(nèi)功耗引起的結(jié)溫升與絲化溫度的關(guān)系決定;
    散熱不良和電流過大是由于產(chǎn)生的熱量不能被完全散發(fā)出去而在內(nèi)部形成熱量累積使芯片溫度持續(xù)上升,最終也是局部到達(dá)絲化溫度Tf時發(fā)生失效,通常由連續(xù)周期內(nèi)產(chǎn)生的功耗與耗散的功耗決定。
    本文以散熱不良和電流過大的熱失效作為分析對象,從熱平衡角度得到IGBT極限功耗以及熱失效機(jī)理。
    單個IGBT芯片是由數(shù)以千計的元胞并聯(lián)而成的,這些元胞具有共同的P+發(fā)射區(qū)和N-基區(qū),但各自的柵極與P+集電區(qū)均相互獨立。
    圖1中點劃線框內(nèi)為穿通(PT)或場終止(FS)平面柵型IGBT的一個元胞結(jié)構(gòu),非穿通(NPT)型IGBT去掉了圖中的N+緩沖層或場終止層,溝槽柵型將IGBT柵極垂直向下延伸到N-基區(qū)。
    由IGBT工作機(jī)理可知,其開關(guān)和導(dǎo)通過程是通過載流子在基區(qū)不斷的運動與復(fù)合形成的電子、空穴電流,產(chǎn)生的熱量主要在J2結(jié)的N-外延層,即IGBT的有源基區(qū)。
    在實際的反向PN結(jié)曲線中,由于空間電荷區(qū)的產(chǎn)生電流和表面漏電流的影響,反向電流會隨著反向電壓的增大而略有增大,表現(xiàn)出不飽和特性,且反向電流會隨著溫度的上升呈指數(shù)特征增加。
    當(dāng)PN結(jié)反向偏壓增加時,反向電流引起的熱損耗導(dǎo)致結(jié)溫上升,結(jié)溫的升高又導(dǎo)致反向電流增大,如果冷卻裝置不能及時將熱量傳遞出去,結(jié)溫上升和反向電流的增加將會交替循環(huán)下去,最終PN結(jié)發(fā)生擊穿,這種擊穿是由熱效應(yīng)引起,稱為熱擊穿。
    同樣的原理,IGBT熱失效機(jī)理也可從產(chǎn)生的熱量與所能耗散的熱量間的熱平衡關(guān)系來進(jìn)行分析。
    IGBT 失效
    如果Pheat是IGBT產(chǎn)生的功率損耗,Pcool是可以通過封裝和散熱器最大限度的功率耗散,則IGBT發(fā)生熱擊穿條件的表達(dá)式為:
    IGBT 失效
    如果該條件在一個固定的工作點上實施,結(jié)溫會以指數(shù)規(guī)律快速升高,導(dǎo)致IGBT發(fā)生熱擊穿。
    1)IGBT極限功耗由IGBT功耗的溫度曲線與結(jié)-殼穩(wěn)態(tài)傳熱功耗的溫度曲線相切時的切點,即臨界點對應(yīng)的功耗得到,由此可對IGBT電氣參數(shù)進(jìn)行合理優(yōu)化設(shè)計。
    2)IGBT可在結(jié)溫穩(wěn)定點附近保持熱平衡狀態(tài),一旦到達(dá)非穩(wěn)定點,IGBT結(jié)溫和功耗會形成正反饋導(dǎo)致結(jié)溫持續(xù)上升,直至發(fā)生熱擊穿失效。
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