MOSFET的靜電容量
在構造上,功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣,在DS(漏極、源極)間形成PN接合,成為內置二極管構造。
其中,Cgs、Cgd的容量根據氧化膜的靜電容量決定,Cds根據內置二極管的接合容量決定。
一般而言,寄生電容與漏極、源極間電壓VDS存在一定關系,VDS增加,則寄生容量值減小。在廠家發布的MOSFET規格書上,一般都提供Ciss/Coss/Crss三類容量特性:
容量特性如圖2所示,對DS (漏極、源極) 間電壓VDS存在依賴性。VDS大則容量值小。
圖2: 容量 - VDS 依存性
溫度特性
實測例見圖(1) ~ (3)所示
關于容量特性的溫度依存性幾乎沒有差異。
圖3: 容量溫度特性
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