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  • MOS管的半導體結構詳細介紹
    • 發布時間:2024-07-19 18:20:53
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    MOS管的半導體結構詳細介紹
    一、 MOS管的半導體結構
    作為半導體器件,它的來源還是最原始的材料,摻雜半導體形成的 P 和 N 型物質。
    MOS管的半導體結構
    那么,在半導體工藝里,如何制造 MOS 管的?
    MOS管的半導體結構
    這就是一個 NMOS 的結構簡圖,一個看起來很簡單的三端元器件。具體的制造過程就像搭建積木一樣,在一定的地基(襯底)上依據設計一步步“蓋”起來。
    MOS管的半導體結構
    MOS 管的符號描述為:
    MOS管的半導體結構
    二、 MOS管的工作機制
    以增強型 MOS 管為例,我們先簡單來看下 MOS 管的工作原理。
    由上圖結構我們可以看到 MOS 管類似三極管,也是背靠背的兩個PN結!三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區通過電子-空穴復合來控制CE之間的導通,MOS 管則利用電場來在柵極形成載流子溝道來溝通DS之間。
    MOS管的半導體結構
    如上圖,在開啟電壓不足時,N區和襯底P之間因為載流子的自然復合會形成一個中性的耗盡區。
    給柵極提供正向電壓后,P區的少子(電子)會在電場的作用下聚集到柵極氧化硅下,最后會形成一個以電子為多子的區域,叫反型層,稱為反型因為是在P型襯底區形成了一個N型溝道區。這樣DS之間就導通了。
    下圖是一個簡單的MOS管開啟模擬:
    MOS管的半導體結構
    MOS管的半導體結構
    這是MOS管電流Id隨Vgs變化曲線,開啟電壓為1.65V。下圖是MOS管的IDS和VGS與VDS 之間的特性曲線圖,類似三極管。
    MOS管的半導體結構
    下面我們先從器件結構的角度看一下MOS管的開啟全過程。
    1、Vgs對MOS管的開啟作用
    MOS管的半導體結構
    一定范圍內 Vgs>Vth,Vds
    Vgs為常數時,Vds上升,Id近似線性上升,表現為一種電阻特性。
    Vds為常數時,Vgs上升,Id近似線性上升,表現出一種壓控電阻的特性。
    即曲線左邊
    MOS管的半導體結構
    2、Vds對MOS管溝道的控制
    MOS管的半導體結構
    當Vgs>Vth,Vds
    當Vds>Vgs-Vth后,我們可以看到因為DS之間的電場開始導致右側的溝道變窄,電阻變大。所以電流Id增加開始變緩慢。當Vds增大一定程度后,右溝道被完全夾斷了!
    MOS管的半導體結構
    此時DS之間的電壓都分布在靠近D端的夾斷耗盡區,夾斷區的增大即溝道寬度W減小導致的電阻增大抵消了Vds對Id的正向作用,因此導致電流Id幾乎不再隨Vds增加而變化。此時的D端載流子是在強電場的作用下掃過耗盡區達到S端!
    MOS管的半導體結構
    這個區域為 MOS 管的恒流區,也叫飽和區,放大區。
    但是因為有溝道調制效應導致溝道長度 L 有變化,所以曲線稍微上翹一點。
    重點備注:MOS管與三極管的工作區定義差別
    三極管的飽和區:輸出電流 Ic 不隨輸入電流 Ib 變化。
    MOS 管的飽和區:輸出電流 Id 不隨輸出電壓 Vds 變化。
    MOS管的半導體結構MOS管的半導體結構
    MOS管的半導體結構
    3、擊穿
    Vgs 過大會導致柵極很薄的氧化層被擊穿損壞。
    Vds 過大會導致D和襯底之間的反向PN結雪崩擊穿,大電流直接流入襯底。
    三、 MOS管的開關過程分析
    如果要進一步了解MOS管的工作原理,剖析MOS管由截止到開啟的全過程,必須建立一個完整的電路結構模型,引入寄生參數,如下圖。
    MOS管的半導體結構
    詳細開啟過程為:
    MOS管的半導體結構
    t0~t1階段:柵極電流對Cgs和Cgd充電,Vgs上升到開啟電壓Vgs(th),此間,MOS沒有開啟,無電流通過,即MOS管的截止區。在這個階段,顯然Vd電壓大于Vg,可以理解為電容 Cgd 上正下負。
    MOS管的半導體結構
    t1~t2階段:Vgs達到Vth后,MOS管開始逐漸開啟至滿載電流值Io,出現電流Ids,Ids與Vgs呈線性關系,這個階段是MOS管的可變電阻區,或者叫線性區。
    MOS管的半導體結構
    t2~t3階段:在MOS完全開啟達到電流Io后,柵極電流被完全轉移到Ids中,導致Vgs保持不變,出現米勒平臺。在米勒平臺區域,處于MOS管的飽和區,或者叫放大區。
    在這一區域內,因為米勒效應,等效輸入電容變為(1+K)Cgd。
    米勒效應如何產生的:
    在放大區的 MOS管,米勒電容跨接在輸入和輸出之間,為負反饋作用。具體反饋過程為:Vgs增大>mos開啟后Vds開始下降>因為米勒電容反饋導致Vgs也會通過Cgd放電下降。這個時候,因為有外部柵極驅動電流,所以才會保持了Vgs不變,而Vds還在下降。
    MOS管的半導體結構
    t3~t4階段:渡過米勒平臺后,即Cgd反向充電達到Vgs,Vgs繼續升高至最終電壓,這個電壓值決定的是MOS管的開啟阻抗Ron大小。
    MOS管的半導體結構
    我們可以通過仿真看下具體過程:
    MOS管的半導體結構
    MOS管的半導體結構
    MOS管的半導體結構
    由上面的分析可以看出米勒平臺是有害的,造成開啟延時,不能快速進入可變電阻區,導致損耗嚴重,但是這個效應又是無法避免的。
    目前減小 MOS 管米勒效應的幾種措施:
    a:提高驅動電壓或者減小驅動電阻,目的是增大驅動電流,快速充電。但是可能因為寄生電感帶來震蕩問題。
    MOS管的半導體結構
    b:ZVS 零電壓開關技術是可以消除米勒效應的,即在 Vds 為 0 時開啟溝道,在大功率應用時較多。
    c:柵極負電壓驅動,增加設計成本。
    MOS管的半導體結構
    MOS管的半導體結構
    d: 有源米勒鉗位。即在柵極增加三極管,關斷時拉低柵極電壓。
    MOS管的半導體結構
    MOS管的半導體結構
    四、 MOS管的驅動應用
    上面已經詳細介紹了 MOS 管的工作機制,那么我們再來看 datasheet 這些參數就一目了然了。
    MOS管的半導體結構
    極限值參數代表應用時的最高范圍,功耗和散熱是高功率應用時的重點。
    MOS管的半導體結構
    MOS管的半導體結構
    功率應用中尤其考慮導通電阻、米勒電容等,高速應用中重點考慮寄生電容。
    漏電流的參數一般影響的是大規模集成芯片的功耗。
    反向恢復時間是一個重要參數,它表示 MOS 管由開啟到截止的恢復時間,時間太長會極大影響速度和功耗。
    MOS管的半導體結構
    體二極管:
    在分立器件NMOS管中,S端一般襯底,所以導致DS之間有一個寄生二極管。
    但是在集成電路內部,S端接低電位或者高電位,不一定接襯底,所以就不存在寄生二極管。
    MOS管的半導體結構
    寄生二極管具有保護 MOS 管的作用,導出瞬間反向的大電流。
    MOS 的驅動是應用設計的重點,接下來我們聊聊有哪些驅動方式和特點。
    4.1直接驅動
    驅動芯片直接輸出 PWM 波
    MOS管的半導體結構
    特點:驅動環路距離不能太遠,否則因為寄生電感降低開關速度和導致振鈴。另外,一般驅動器也難以提供很大的驅動電流。
    4.2推挽式驅動
    PWM 驅動通過推挽結構來驅動柵極
    MOS管的半導體結構
    特點:實現較小的驅動環路和更大的驅動電流,柵極電壓被鉗位在 Vb+Vbe 和 GND 與Vbe 之間。
    4.3柵極驅動加速電路
    MOS管的半導體結構
    并聯二極管可以分流,但是隨著電壓降低,二極管逐漸失去作用。
    MOS管的半導體結構
    4.4 PNP關斷電路
    MOS管的半導體結構
    特點:PNP 在關斷時形成短路放電,但是無法完全為 0,二極管 Don 可以鉗位防止三極管擊穿。
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