米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開始下降,但是下降的速度十分緩慢,而C點(diǎn)的電位變化,帶動了GE之間電壓不在上升,或者這樣理解,Ige的驅(qū)動電流,基本都被用來給GC之間的節(jié)電容充電,至于為何一直充不滿,個(gè)人的理解如下。
第一種理解:C點(diǎn)的電位變化,起始為450V,也就是第一零點(diǎn)水位,當(dāng)C點(diǎn)水位電壓下降,下降到需要補(bǔ)充水的時(shí)候,或者可以認(rèn)為一邊下降,一邊增加抽取水(電流)的能力,也有說是此電容在變大,也可以這樣理解。
第二種理解:此階段,CE之間的電阻在變小,為何變小可以查閱模擬電路,GE電壓增大的時(shí)候,PN結(jié)的夾斷寬度變寬,同流能力增強(qiáng),也就是所謂的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),所以MOS、IGBT才能做到功率大,損耗小。
在米勒平臺時(shí)期,電壓迅速下降,電流快速上升,當(dāng)C點(diǎn)電位下降接近0V時(shí),GC之間電容所抽取的能量電流減弱,Vge增大至驅(qū)動電壓。在米勒尾端到驅(qū)動電壓幅值點(diǎn),Vgc實(shí)際也在減小,只是幅度非常小,同樣的Ic電流也十分微弱的增大。
驅(qū)動電壓一段時(shí)間不再上升,此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大,而Vds還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅(qū)動電壓的值,此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū),此時(shí)Vds徹底降米勒效應(yīng)的影響:MOSFET的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;
當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOSFET就會進(jìn)入開通狀態(tài);當(dāng)MOSFET開通后,Vds開始下降,Id開始上升,此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng),Vgs會持續(xù)下來,開通結(jié)束。
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會使損耗的時(shí)間加長。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)
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