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MOS管是如何被靜電擊穿的MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電
MOS管并聯的問題與解決方案介紹一 MOS管并聯的問題以及解決方案對于NMOS而言,我們在G極施加正電壓,會吸引負電荷從而形成導通溝道,從MOS
影響MOS管驅動電壓降低的解析MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的驅動電壓降低可能會受到以下因素的影響:負載特性: 如果MOS管連接
電源MOS管的驅動電路設計介紹1、對于小功率電源(50W以內)MOS管的驅動電路設計相對簡單,只需要一個驅動電阻Rg即可對MOS管進行驅動。此時的
MOS管的種類,結構與導通特性介紹01 MOS管種類&結構MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種
MOS管的死區損耗計算介紹MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經常是成對出現,習慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器
MOS管驅動電路,低壓,寬壓與雙電壓應用介紹MOS驅動,有幾個特別的需求1,低壓應用當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于三極
怎么在電源上選擇MOS管在開關電源應用MOS管的時候,在很多電源設計人員的都將采用一套公式,質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))
MOS管的高端驅動與低端驅動介紹低端驅動:MOS管相對于負載在電勢的低端,其中D通過負載接電源,S直接接地。對于NMOS,只有當Vgs大于開啟電
MOS管的工作原理詳細介紹以Ntype MOS晶體管為例,探討MOS管的工作原理。放大作用的實質是控制作用,為探究柵極電壓對溝道的控制作用,先將
mos管寄生電容介紹,寄生電容形成的原因解析MOS管規格書中有三個寄生電容參數,分別是:輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該
MOS管的GS波形詳解測試MOS管GS波形時,有時會看到下圖中的這種波形,在芯片輸出端是非常好的方波輸出。但一旦到了MOS管的G極就出問題了,有