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工程師必看的MOS型LDO工作原理實際常見的電源應用有DCDC和LDO兩種,與DCDC電路不同的是,LDO輸出晶體管的工作狀態是線性工作模式,并非開關
開關電源為什么幾乎都選擇增強型NMOS來作為開關在實際應用中,開關電源或者控制電路設計中,幾乎使用的是使用增強型的N-MOSFET來作為開關,
三極管基極與發射極為什么要并聯一個電阻對于這個問題,在網上查詢了部分回答,基本都是可以讓三極管可靠截止均流限流的回答。今天就以上回
NMOS的防反接保護電路設計介紹講完PMOS,這次來看看NMOS的防反保護電路有什么不同?簡單的柵極驅動電路設計,我們會使用NMOS來作防反電路,
PMOS防反接保護電路設計介紹傳統的防反保護電路,一般采用的都是PMOS管。將PMOS的G極接電阻到地(GND),當輸入端連接正向電壓時,電流流過
怎么使用MOS管來實現分立式邏輯門早期時候的工藝僅僅支持NMOS來實現邏輯功能。如今采用NMOS+PMOS,是因為MOS管的占據面積遠遠小于電阻的面
IGBT的正負電壓控制,與0V的關斷過程介紹IGBT在柵極和發射極之間加入正電壓就可以進行導通。不過,這個正電壓至少需要高于閾值電壓。如果柵
五種MOS管泄漏電流與產生原因介紹本文介紹了五種MOS管在實際應用中存在的漏電流:反偏結泄漏電流、柵極致漏極泄漏電流、柵極直接隧穿電流、
MOSFET柵極,源極的下拉電阻作用是什么米勒電容:在柵極(G)和漏極(D)之間的一個寄生電容。當MOSFET關斷時,米勒電容的存在,會使MOS管的
柵極驅動IC式自舉電路的設計介紹自舉式電路在高電壓柵極驅動電路中是很有用的。當 VS 降低到 IC 電源電壓 VDD 或下拉至地時 ,(低
為什么柵極型推挽電路經用的是上N下P,不是上P下N型理論上來講,上P下N型明明更有優勢,為什么實際應用中推挽電路用的是上N下P型?左為上P下N
四種常見的防反接電路設計介紹電源的正負極一旦接反,就會導致很多電子元器件燒毀,其中主要的緣由是因為電流過大導致器件被擊穿,因此實際